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該示意圖展示了少突膠質細胞（oligodendrocyte，紫色）包裹著神經元（綠色）。不同細胞中活性 DNA 的差異可能是人類記憶的基礎。圖片來源：Melissa Logies
3 月 8 日，一篇發表在《自然-神經科學》（Nature Neuroscience）上的最新研究報告識別出與(yu) 腦電波有關(guan) 的關(guan) 鍵基因，對記憶編碼至關(guan) 重要。該研究可能有助於(yu) 開發新型療法，治療阿爾茨海默病和其他形式的癡呆症等記憶喪(sang) 失疾病。
研究人員在癲癇患者大腦植入電極後執行情景記憶任務，並記錄顳葉皮質的顱內(nei) 腦電圖以測量記憶敏感振蕩。當這些患者隨後接受切除手術時，利用顳葉皮層的轉錄組學將基因表達與(yu) 腦振蕩聯係起來，並在六個(ge) 頻段識別出與(yu) 記憶形成振蕩特征相關(guan) 的基因。通過 ATAC-seq 技術，研究人員發現 SMAD3 基因是一個(ge) 控製許多中樞基因活動的主調節器。這一類中樞基因在人類神經振蕩中至關(guan) 重要重要，並與(yu) 其他影響學習(xi) 和記憶的障礙息息相關(guan) 。研究人員表示，隨著對這些基因及其運作網絡的進一步研究，最終有可能通過藥物靶向特定的基因，來改善這些和其他疾病患者的記憶。（UT Southwestern Medical Center，Nature Neuroscience）
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