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研究人員首次為超薄半導體配備了超導觸點
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巴塞爾大學的研究人員宣布，他們(men) 首次為(wei) 超薄半導體(ti) 配備了超導觸點。所使用的材料非常薄，具有新穎的電子和光學特性，研究人員認為(wei) 這可能為(wei) 以前無法想象的應用鋪平道路。當超薄半導體(ti) 與(yu) 超導體(ti) 結合時，它們(men) 有望帶來新的量子現象，並在量子技術中找到用途。
半導體(ti) 是現代電子設備中最關(guan) 鍵的部件之一，因此，研究人員一直專(zhuan) 注於(yu) 開發由單一單層半導體(ti) 材料組成的新半導體(ti) 。一些天然存在的材料利用單層堆積形成的三維晶體(ti) 提供半導體(ti) 特性。研究人員可以在實驗室環境中分離這些層，它們(men) 的厚度不超過一個(ge) 分子，然後用它們(men) 來構建電子元件。
超薄半導體(ti) 可以提供獨特的特性，它們(men) 能夠利用電場來影響內(nei) 部電子的磁矩。半導體(ti) 單層也有複雜的量子力學現象在裏麵發生，可以應用於(yu) 量子技術。研究人員目前正在研究如何利用被稱為(wei) 範德瓦爾斯異質結構的薄半導體(ti) 形成新的合成材料。
雖然一直在研究堆疊這些層，但這項研究標誌著首次將單層與(yu) 超導觸點結合起來。來自巴塞爾大學的研究人員將半導體(ti) 二硫化鉬的單層與(yu) 超導觸點相結合。這一突破的重要性讓研究人員非常感興(xing) 趣，因為(wei) 他們(men) 相信這種組件可以表現出新的特性和物理現象。
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