
該團隊將矽暴露在等離子體(ti) 二氧化碳中,以實現可控的氧化矽沉積,然後再覆蓋另一層矽。 (圖片來源:KAUST; Xavier Pita)
將矽置於(yu) 等離子體(ti) 狀態下的二氧化碳中進行處理的過程使得製造太陽能電池的關(guan) 鍵步驟變得簡單和易控製。
一個(ge) 將二氧化矽沉積在矽片上的簡單過程可能成為(wei) 製作矽基太陽能電池的關(guan) 鍵步驟。阿卜杜拉國王科技大學的研究者們(men) 在充滿二氧化碳氣體(ti) 的空間中對矽基使用了一種叫做等離子體(ti) 處理的方法,得出了這一推測。

圖片來源:Pixabay
製作半導體(ti) 元件的元素矽是大約90%太陽能電池製造的首選材料。矽中摻雜了一些雜質後,來自太陽光中的能量能夠驅動電子產(chan) 生電流。
然而,這一過程中存在技術挑戰,即在暴露的矽基表麵上的“懸鍵”問題。阿卜杜拉國王科技大學博士學生Areej Alzahrani解釋說,矽原子在表麵結合可能性的降低,給被光能激發射出的電子與(yu) 之前已經離開的電子留下的正電荷空穴的重新結合留下了空間,導致電流衰減。

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這個(ge) 問題可以通過在表麵區域生成一層二氧化矽膜得到解決(jue) ,這是常用在化學鈍化處理中形成電觸點的方法。實現區域覆膜的方法有好幾種,但都有困難和局限性,且還引入了一個(ge) 額外和昂貴的製造步驟。Alzahrani說:“現有方法的問題迫使我們(men) 要找到一個(ge) 更簡單、更實用的過程。
解決(jue) 方法的途徑需要將矽暴露於(yu) 等離子體(ti) 二氧化碳氣體(ti) 中——這是一種低溫電離氣體(ti) 。通過這一步驟我們(men) 可控二氧化矽的沉積,並根據太陽能電池的結構要求,繼續再塗覆上另一層矽層。在同一個(ge) 係統內(nei) 部實現這兩(liang) 個(ge) 操作可以很大程度上降低生產(chan) 成本。“這一簡明的過程可能對太陽能電池製造工業(ye) 有很大的用處,”Alzahrani進一步補充。
她還指出,團隊對該方法控製微觀結構上的超薄氧化矽膜形成的效果感到驚喜,同時這一方法還使所形成的氧化膜在高溫狀態下更加穩定,能夠克服現有其他方法所麵臨(lin) 的問題。測試表明,此流程處理後允許高電壓和低電阻的電路狀態,這是實現高效性能所需的特征。
目前團隊已經闡釋了基本的技術,並著手開發其商業(ye) 潛力。“第一步是要將這個(ge) 步驟整合到完整有效的太陽能電池中,同時也要推進光捕捉技術的開發。”研究團隊的組長,Stefaan De Wolf說。
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