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寬禁帶半導體(ti) 材料典型代表有碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)，這些半導體(ti) 材料也稱為(wei) 第三代半導體(ti) 材料。與(yu) 以矽(Si)和砷化镓(GaAs)為(wei) 代表的第二代半導體(ti) 相比，寬禁帶半導體(ti) 的優(you) 點更加的突出。
寬禁帶半導體(ti) 主要具有以下四種優(you) 點：
1、寬禁帶半導體(ti) 材料具有較大的禁帶寬度以及很高的擊穿電場強度，使得寬禁帶器件能夠承受的峰值電壓大幅度提高，器件的輸出功率可獲得大規模提升；
2、寬禁帶材料具有高熱導率、高化學穩定性等優(you) 點，使得功率器件可以在更加惡劣的環境下工作，可極大提高係統的穩定性與(yu) 可靠性；
3、寬禁帶材料抗輻射能力非常好，在輻射環境下，寬禁帶器件對輻射的穩定性比Si器件高10至100倍，因此是製作耐高溫、抗輻射的大功率微波功率器件的優(you) 良材料；
4、寬禁帶半導體(ti) 器件的結溫高，故在冷卻條件較差、熱設計保障較差的環境下也能夠穩定工作。
近年來，迅速發展起來的以GaN、SiC為(wei) 代表的寬禁帶半導體(ti) 材料是固態光源和電力電子、微波射頻器件的重要元件在半導體(ti) 照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景，可望成為(wei) 支撐信息、能源、交通等產(chan) 業(ye) 發展的重點新材料，適合於(yu) 製作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。
總而言之，三代寬禁帶半導體(ti) 材料的出現有效彌補了傳(chuan) 統一、二代半導體(ti) 材料在高溫、高頻等領域的不足，能夠較好適應半導體(ti) 技術飛速發展的需要。目前，三代半導體(ti) 材料還難以完全取代前兩(liang) 代半導體(ti) 材料。
本文由石家莊槁城區興(xing) 安鎮中學高級教師崔會(hui) 欣進行科學性把關(guan) 。
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作者： 馬瑤
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